
Руководитель проекта, доцент Института перспективных материалов и технологий МИЭТ Петр Лазаренко комментирует основные задачи ученых в рамках данного исследования:
– Создание логических интегрально-оптических схем, в том числе полностью оптических нейронных вычислительных систем, требует разработки различных элементов нанофотоники, обеспечивающих многоуровневое управление параметрами оптических сигналов при минимальных энергетических затратах. Широкие перспективы в данной области открывает применение халькогенидных полупроводниковых материалов, фазовое состояние которых можно изменять сверхкоротким низкоэнергетическим лазерным или электрическим воздействием (PCMs – phase change materials).
Тонкие пленки PCMs, в частности Ge2Sb2Te5, благодаря существенному изменению оптических и электрических свойств при фазовых превращениях между аморфным и кристаллическим состояниями, уже нашли коммерческое применение в электрической фазовой памяти с произвольным доступом (PCRAM) для запоминающих устройств класса storage-class memory (SCM).
Однако высокая скорость фазовых превращений (менее 16 нс), большая величина электрического и оптического контраста и низкое энергопотребление при переключении обуславливают активный исследовательский интерес к поиску все новых областей их применения. В рамках выполнения данного проекта мы планируем совмещение достоинств PCM материалов со современными достижениями нанофотоники, что позволит создать целый ряд энергонезависимых нанофотонных устройств (делители сигнала, микрокольцевые резонаторы, интерферометры Маха-Цендера и т.д.), а также существенно усовершенствовать и расширить возможности создаваемых интегрально-оптических схем.
Одной из основных особенностей разрабатываемых нанофотонных устройств будет являться возможность обратимого многоуровневого управления параметрами оптического сигнала, проходящего по тонкопленочному волноводу, за счет изменения степени кристаллизации наноразмерных областей PCM.
В рамках решения сформулированных задач за три года будет достигнут целый ряд новых фундаментальных результатов в области применения перспективных функциональных материалов на основе халькогенидных полупроводниковых соединений в энергонезависимых интегральных элементах нанофотоники. При этом несомненной практической значимостью будет обладать отработанная в рамках проекта полностью отечественная технология изготовления многоуровневых устройств нанофотоники с возможностью изменения параметров оптического сигнала.
Проект выполняется совместно молодыми учеными из Лаборатории неупорядоченных полупроводников (Институт ПМТ, НИУ МИЭТ) и Лаборатории квантовых детекторов (ФГБОУ ВО МПГУ), обладающих значительным научным заделом и опытом проведения исследований различной сложности в областях материаловедения, а также разработки и создания устройств нанофотоники.
Фото: miet.ru
- Ещё больше материалов и фотографий на: https://t.me/zelenogradinfo
- БЕCПЛАТНАЯ доска объявлений: https://зеленоград-инфо.рф/ads
- Группа VK: https://vk.com/zelekinfo

